【ソウル31日聯合ニュース】韓国のサムスン電子は31日、32ギガバイトのDDR3サーバーモジュールの量産を開始したと発表した。
 同製品は回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)のプロセスを取り入れた4ギガビットのDDR3 DRAMを搭載している。データ処理速度は1866Mbpsで、40ナノのモジュールに比べ40%速く、消費電力を18%削減した。
 同社は2012年までに4ギガビット以上の大容量製品の割合をDRAM全体の10%以上まで拡大する方針だ。年内に消費電力を大幅に低減できる20ナノの4ギガビットDRAMを発売する予定だ。
 市場調査会社のアイサプライによると、2012年の4ギガビットDRAMの市場規模は10%拡大し、2014年はDRAM市場全体の57%を占めると予想している。

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