サムスンが次世代NANDフラッシュ開発、標準化推進

【ソウル22日聯合ニュース】サムスン電子は22日、一般的に普及しているNAND型フラッシュメモリーに比べデータ処理速度が10倍速い「Toggle DDR2．0」インターフェース仕様の次世代高速NAND型フラッシュメモリー技術を開発し、来年から量産に入ると明らかにした。
　また、「Toggle DDR2．0」の標準化に向け、JEDEC半導体技術協会への標準登録を進めており、これには日本の東芝が参加している。来年初めまでに登録を完了する計画だ。
　同社はNAND型フラッシュメモリー採用製品の高性能化を受け、20ナノクラス以下のプロセスを用いたNAND型フラッシュ全製品に、今回開発した技術を適用する計画だ。次世代高速NAND型フラッシュをシリアルATA2、半導体ドライブ（SSD）に搭載すれば、データ読み書き速度を現在の2倍に上げることができる。
　半導体事業部メモリー戦略マーケティングチームの全東守（チョン・ドンス）副社長は、高速NAND型フラッシュメモリーは第4世代（4G）スマートフォン（高機能携帯電話）やタブレット型パソコン、SSDなどさまざまな製品に採用され需要が大幅に増加するだろうと見通した。