【ソウル24日聯合ニュース】ハイニックス半導体が来年は、海外子会社も含め総額2兆3000億ウォン(約1780億円)の設備投資を計画している。同社関係者が24日に明らかにしたところによると、来年の投資は、DRAMやNAND型フラッシュメモリーなどの主力製品の工程高度化と生産力拡充に重点を置くことになる。 japanese@yna.co.kr
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