ハイニックス、8段積層NANDフラッシュ開発

【ソウル18日聯合】ハイニックス半導体は18日、世界で初めてスモール・アウトライン・パッケージ（SOP）を採用した8段積層NAND型フラッシュメモリの開発に成功し、今月から量産を開始したと明らかにした。
　この製品は、ひとつのパッケージに16ギガビットのNAND型フラッシュメモリのチップを8枚重ねて作る。1つのSOPに最大で4枚のチップを積層していた従来の製品に比べ、2倍の大容量を実現した。また、従来の大容量向けパッケージはチップを4枚積層したSOPを2つ重ねて製作していたが、単一のパッケージにすることで厚さを2．3ミリメートルから1．4ミリメートルまで抑えることが可能となった。

　ハイニックスは、チップを薄く加工する新技術とチップ同士を接着する技術を開発し、単一パッケージ内8段積層を実現したと説明。パッケージコスト節減と厚さをより抑えた製品を望む顧客企業の要求に応えたもので、顧客企業側も新規投資をせず既存のインフラを活用しながら小型化・大容量化が進む各種携帯用電子機器を生産できるようになったと話した。また、パッケージ材料に鉛やハロゲンのような有害物質を使用しないエコロジー製品だと強調した。