プラズマ技術が中国流出、1兆ウォン台の被害懸念

【ソウル5日聯合】ソウル南部地検は5日、プラズマパネル生産工場の配置図など営業秘密を中国に流出させた、不正競争防止及び営業秘密保護に関する法律違反でLG電子の元プラズマパネル生産技術グループ長を拘束起訴したと明らかにした。また、この元グループ長に工場設計図面などを渡した業務上背任で、元グループ長の元部下と現職のLG電子次長を在宅のまま起訴した。
　検察によると、元グループ長はLG電子を退職する2005年9月までに、工場に設置された各種配置図をはじめ建築・生産設備に関するファイル1182点を持ち出し、昨年2月から中国のB社で年俸30万ドルで技術顧問として勤務した疑いをもたれている。また、元部下から工場の建設設計図面2274ファイルを、次長から工場電力に関するデータをそれぞれ受け取ったことも分かっている。

　元グループ長はB社に関連内容を報告するなどしており、先月22日に中国に出国し、プラズマモジュール生産ライン装備のセッティング作業に関する諮問を行う予定だったが、出国3日前に逮捕された。中国の業界はプラズマ市場への早期参入を目指し、関連経験のある韓国人エンジニアを高年俸で手当たり次第に引き入れており、元グループ長もB社から高額な年俸に加えアパートや車も提供してもらう約束で技術顧問に就任したという。

　B社は多面取工法に関する経験がまったくないにも関わらず、12月から8面取工法のプラズマモジュールを中国で初めて量産する予定とされる。多面取工法はLG電子と韓国企業1社、日本企業1社の合わせて3社だけが保有する技術で、B社が予定通り量産に入る場合、LG電子は向こう3年間で約1兆3000億ウォン（約1418億円）相当の売上被害を受けるものと検察は予測している。