ハイニックス、新概念高性能メモリーモジュール開発

【ソウル25日聯合】ハイニックス半導体は25日、米国の半導体設計技術会社メタRAMとの技術協力を通じ、2ランク構成の高性能サーバー用8ギガバイトDDR2メモリーモジュールを開発したと発表した。
　このメモリーモジュールは、メタRAM製MetaSDRAMチップセットをメモリーコントローラーとDRAMの間に装着しており、メモリーコントローラーがDRAMの容量を実際よりも高く認識するという新概念の製品だ。2つの1ギガビットDRAMを大容量の2ギガビットDRAMとして認識することで、システム上で別途の変更作業を行わずに大容量モジュールとしての効果を上げることができる。高価な2ギガビットDRAM構成の製品に代わり、同一機能の1ギガビットDRAM構成製品を安価で使用できるようになるため、ユーザーにとってはコスト面で有利となる。また、8ギガバイトモジュールで一般的な4ランク構成ではなく2ランク構成にしたことで、既存の製品と同容量ながら電力消費を30%まで抑えることができる。

　同社は今回の開発により、大容量モジュール分野の競争力が確保され、新たな企業向けサーバーアプリケーションの発売が期待できると話している。