世界最小のメモリー素子を開発、韓国科学技術院

韓国科学技術院（KAIST）の電子電算学科の崔梁圭（チェ・ヤンギュ）教授チームとナノ総合ファブセンターは13日、世界最小の8ナノメートル級3次元次世代非揮発性フラッシュメモリー素子を共同で開発したと明らかにした。
　8ナノメートルとはこの素子で電子移動を調節するゲートの線幅を指し、髪の太さの1万2000分の1に当たる。この線幅技術を利用すれば、髪1本ほどのメモリーチップに12編の動画を書き込める。今回開発されたメモリー素子はテラビット（1兆ビット）クラスのメモリー時代を開くと期待されている。これまでに商用化された世界最高レベルのメモリーチップはサムスン電子が昨年開発した回路線幅40ナノメートルクラスの32ギガビットメモリーチップ。8ナノメートルメモリー素子が商用化されれば、サムスン電子のチップを25分の1サイズに縮小し、集積度は25倍に増やすことが可能だ。

　ただ、開発されたメモリー素子の商用化には解決すべき課題も多い。崔教授は、ゲート線幅より大きいゲート絶縁膜の厚みを減らすための超薄幕形成技術や物性改善研究が必須で、究極的には代替絶縁膜の使用に向けた材料研究を平行して進める必要があると説明した。合わせて収益性確保のための量産技術も要求される。こうした点から、崔教授は10年後をめどに商用化が可能になるとの見通しを示した。


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