インテルの3D技術発表に、サムスンが公式見解

【ソウル6日聯合ニュース】半導体世界最大手の米インテルが3D（3次元）トランジスタ技術「トライゲート（Tri－Gate）」を採用し、年内に次世代半導体チップを採用すると明らかにしたことを受け、サムスン電子は6日に公式に立場を発表した。同社も2Dの平面だったトランジスタを3D立体構造にする技術の開拓者の一員として、すでに特許など多くの経験成果を蓄積していると強調した。半導体技術のさらなる精密化の段階で、3Dトランジスタ技術の導入が必要になると判断し、準備していると述べた。