ハイニックス、世界初の30ナノ4GbDRAM開発

【ソウル29日聯合ニュース】ハイニックス半導体は29日、世界で初めて30ナノクラス技術を適用した高容量の4ギガビットDDR3　DRAMを開発したと明らかにした。また、30ナノクラス2ギガビットDDR3　DRAMの開発も計画通りに完了し、来年1～3月期に量産に入ると説明した。