ハイニックス、世界初の30ナノ4GbDRAM開発

【ソウル29日聯合ニュース】ハイニックス半導体は29日、世界で初めて30ナノクラス技術を適用した高容量の4ギガビットDDR3　DRAMを開発したと明らかにした。また、30ナノクラス2ギガビットDDR3　DRAMの開発も計画通りに完了し、来年1～3月期に量産に入ると説明した。
　今回開発された30ナノクラス4ギガビットDDR3　DRAMは大容量プレミアムサーバーおよび高仕様パソコンが求める高容量・高性能・低電力の特性を満足させることができる製品。ハイニックスは今後、同製品でプレミアム製品市場を先占する計画だ。
　30ナノクラスDRAMは従来の40ナノクラスDRAMに比べ、生産性が70%程度向上され、原価競争力を強化することができ、最大2133Mbpsのデータ処理速度を実現。従来の1333Mbps製品比の処理速度が60%程度速まった。
　また1．25ボルトの超低電圧とエコ技術を適用し、従来の40ナノクラス2ギガビット製品より60%以上電力消耗を減らすことができる。
　ハイニックス最高技術責任者（CTO）の朴星ウク（パク・ソンウク）副社長は、「現在、DRAM生産量全体の50%程度を2ギガビット製品が占めており、今後は高容量・高性能・低電力製品の割合を持続的に拡大していく」と話した。