ハイニックス、20ナノNANDフラッシュ量産開始

【ソウル8日聯合ニュース】ハイニックス半導体は8日、2月に開発した20ナノメートル（1ナノは10億分の1）クラスのプロセスを用いた64ギガバイトNAND型フラッシュメモリー製品の量産に入ったと明らかにした。同製品の量産開始成功で、業界トップレベルの技術力と最高レベルの原価競争力を確保したとアピールした。