ハイニックス、20ナノNANDフラッシュ量産開始

【ソウル8日聯合ニュース】ハイニックス半導体は8日、2月に開発した20ナノメートル（1ナノは10億分の1）クラスのプロセスを用いた64ギガバイトNAND型フラッシュメモリー製品の量産に入ったと明らかにした。同製品の量産開始成功で、業界トップレベルの技術力と最高レベルの原価競争力を確保したとアピールした。
　同社はまた、イスラエルの高性能NAND型フラッシュメモリー設計専門企業Anobitとの戦略的提携を通じ、NAND型フラッシュソリューション製品の開発を完了したことも明らかにした。同社の30ナノクラスプロセス適用32ギガバイトNAND型フラッシュ製品にAnobitのコントローラーを結合したもので、データ保存時のエラー最小化と保存期間拡大を実現し、記憶装置の信頼性を強化した。
　今回量産を開始したのは、NAND型フラッシュ専用300ミリプロセスを備える清州M11ライン。同社研究開発製造総括本部長の朴星オク（パク・ソンオク）副社長は、この量産で、スマートフォン（高性能携帯電話）やタブレット型パソコンなど最近需要が急増しているモバイル製品に最適なソリューションを適期に供給することが可能になったと説明した。
　ハイニックスは清州M11ラインの生産量を、年初の月産4万5000枚水準から年内に8万枚以上に拡大する計画だ。