開発された3ビット/セル構造の32GbNAND型フラッシュメモリー＝3日、ソウル（聯合）
開発された3ビット/セル構造の32GbNAND型フラッシュメモリー＝3日、ソウル（聯合）
【ソウル3日聯合】ハイニックス半導体は3日、世界に先駆け3ビット/セル構造（X3）の32ギガビットNAND型フラッシュメモリーを開発したと明らかにした。
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