ハイニックス、X3構造32Gビットフラッシュ開発

【ソウル3日聯合】ハイニックス半導体は3日、世界に先駆け3ビット/セル構造（X3）の32ギガビットNAND型フラッシュメモリーを開発したと明らかにした。
　3ビット/セル構造はセル当たりのビット数が3ビットで、既存の1セル1ビットのSLC（シングルレベルセル）、1セル2ビットMLC（マルチレベルセル）よりデータ記憶量が多い。3ビット/セル基盤製品は既存のMLCに比べチップ面積を3割以上小さくすることが可能で、コスト削減につながる。

　同社はこの技術を基に、これまで16ギガビット製品の量産に適用を限定していた48ナノプロセス技術を32ギガビット製品にまで拡大し、10月から量産に入る。同製品の最大メモリ容量は32ギガバイトで、デジタル音楽ファイル8000曲、DVDクラスの画質の映画20作品、高解像度写真3万6000枚、日刊紙200年分、単行本220万冊に該当するデータを保存できる。