ハイニックスが48ナノフラッシュメモリー量産へ

ハイニックス半導体は4日、48ナノ工程を適用した16ギガバイトのマルチレベルセル（MLC）NAND型フラッシュメモリー製品を、来年1月から世界に先駆け量産すると明らかにした。開発はすでに終えており、今月中にサンプルを世界の顧客企業に供給する。