サムスン、世界最速NANDフラッシュ初量産

【ソウル12日聯合ニュース】サムスン電子は12日、超高速データ転送を実現するNAND型フラッシュメモリのインターフェース仕様「Toggle　DDR　2．0」を適用した、20ナノクラス工程（1ナノは10億分の1メートル）64ギガビットのマルチレベルセル（MLC）NANDフラッシュ製品を、業界で初めて量産すると明らかにした。
　同製品は、データ転送速度が1秒当たり400メガビット。SDR（シングルデータレート）タイプ（40Mbps）の10倍、「Toggle　DDR　1．0」タイプ（133Mbps）の3倍速い。現在、市場に出ているNANDフラッシュ製品では、最速の製品だ。
　USB3．0やSATA 6．0Gbpsなど、最新のインターフェースを採用した高性能・大容量製品に最適なソリューションだと説明している。
　同社は昨年、「Toggle　DDR　1．0」タイプの20ナノクラス32ギガビットMLC NANDフラッシュを業界で初めて量産した。今回、容量を2倍、速度を3倍、生産性を50%向上させた次世代製品の量産に入り、今後も引き続き関連市場をリードしていくと強い自信感を示した。
　半導体事業部メモリ戦略マーケティングチーム長の洪完勲（ホン・ワンフン）副社長は、この製品で4G（第4世代移動通信）スマートフォン（高機能携帯電話）、タブレット端末、SATA 6．0Gbps対応半導体ドライブ（SSD）など、飛躍的に拡大している新製品市場をけん引していく計画だと述べた。