インテルの3D技術発表に、サムスンが公式見解

【ソウル6日聯合ニュース】半導体世界最大手の米インテルが3D（3次元）トランジスタ技術「トライゲート（Tri－Gate）」を採用し、年内に次世代半導体チップを採用すると明らかにしたことを受け、サムスン電子は6日に公式に立場を発表した。同社も2Dの平面だったトランジスタを3D立体構造にする技術の開拓者の一員として、すでに特許など多くの経験成果を蓄積していると強調した。半導体技術のさらなる精密化の段階で、3Dトランジスタ技術の導入が必要になると判断し、準備していると述べた。
　また、インテルの今回の発表は「技術的意味のあることだ」と評価したうえで、技術を開発したと発表した状態であり、具体的な波及力は製品が市場に出回らなければ計ることはできないとの立場を示した。量産時期やモバイル市場進出の有無はまだ見守る必要があるとの考えだ。
　中央演算処理装置（CPU）市場を掌握したインテルだが、サムスン電子が世界市場をリードするモバイル機器用CPUに相当する「アプリケーションプロセッサ（AP）」の市場に、新技術「トライゲート」を活用し進出するかなどについては明らかにしていない。AP製品を米アップルに納品しているサムスン電子は、世界市場の6割を占めている。
　インテルが今回の新技術でAP市場に進出し、サムスン電子を脅かすのではないかとの見方は、飛躍しすぎた仮定だと、業界は指摘してきた。今回のインテルの発表に対しても、ひとまず見守ろうという反応だ。