【ソウル17日聯合ニュース】超高密度集積が可能な次世代メモリー素子を韓国の研究陣が開発した。
 教育科学技術部と韓国研究財団は17日、成均館大学のイ・ヒョヨン教授の研究チームが、有機ラジカルを利用し極薄の薄膜形の非揮発性メモリー素地を作ることに成功したと明らかにした。
 有機ラジカルは、分子構造上、少なくとも1つ以上の不対電子を含む勇気化合物。こうした分子構造そのものを利用しメモリー機能を実現する「分子メモリー素子」の場合、従来のメモリーと比較し電子が出入りする人為的「ゲート」などが必要ないため、単位面積あたり超高密度の集積が可能になる。
 さらに、今回開発した有機ラジカルメモリーは分子量1000以下の低分子のためより薄く、性能も優れているとの説明だ。
 研究チームは、2つの金電極の間に、ラジカル状態のない吐露オキサイドを挟み込む形で、メモリーを製作した。
 イ教授は、「今回の研究は、有機ラジカルを活用して作った初の低分子メモリー素地。フレキシブル電池や分子コンピューターなどに応用できる」と話している。
 この論文は8日付で化学分野の学術誌「Angewandte Chemie」電子版に掲載された。

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