ハイニックスとHP、ReRAM共同開発契約を締結

【ソウル1日聯合ニュース】ハイニックス半導体は1日、米コンピューター大手ヒューレット・パッカード（HP）と、次世代メモリー製品のReRAM（抵抗変化メモリー）の商用化に向けた共同開発契約を締結したと明らかにした。
　ReRAMは速度と容量の面でNAND型フラッシュメモリーの限界を超えられる高効率メモリー半導体で、デジタルカメラ、MP3、PDA（携帯情報端末）、メモリースティック、モバイルフォンなどに使用できる。
　ReRAMを具現する技術のうち、HPが保有するメモリスタ（抵抗記憶素子）を活用すれば、現在のNAND型フラッシュメモリーより書き込み速度が100倍以上速まり、より多くの情報を保存できると、ハイニックスは説明した。
　今回の契約に伴い、ハイニックスはReRAMを商用化する技術力を手に入れ、HPはハイニックスが量産するReRAMの優先的供給を受ける。
　HP研究所のウィリアムズ所長は、今回の共同開発で、HPの技術がハイニックス介して世界市場に広まるものと期待を寄せた。ハイニックス最高技術責任者（CTO）の朴星ウク（パク・ソンウク）副社長は、すでに開発中のPRAM（相変化メモリー）、STT－MRAMに続き、ReRAMを共同開発することになり、次世代メモリー分野での競争力を一層強化できるようになったと話した。