８０ナノＤＲＡＭ工程は、２００３年９月にサムスン電子が世界で初めて開発したもので、ＤＲＡＭの集積度やデータの保有特性を改善できる３次元トランジスタ技術が適用される。これにより、現在の主力工程となっている９０ナノ工程に比べ生産性が５０%以上改善されるほか、技術上の追加投資規模も最小化されるという。
サムスン電子は、２００３年に業界初の１００ナノ工程でのＤＲＡＭ量産に突入した後、２００４年には９０ナノ工程を開始し、３世代連続でナノＤＲＡＭ技術の最先端を走っている。また昨年７０ナノＤＲＡＭ技術も開発しており、下半期にはこれを適用した製品を量産する計画だ。
Copyright 2006ⓒYONHAPNEWS. All rights reserved
0
