ハイニックス、40ナノ2GbモバイルDRAM開発

【ソウル13日聯合ニュース】ハイニックス半導体は13日、40ナノプロセス技術を採用した2ギガビット（Gb）のモバイルDRAMの開発に、世界で初めて成功したと発表した。低消費電力DRAM規格「LP　DDR2」に準拠する製品で、上半期中に量産を開始する計画だ。
　このモバイルDRAMは、モバイル製品の中では最も小さい1．2ボルトの電圧で駆動可能だ。消費電力は既存のLP　DDRのほぼ半分、パソコン用DDRに比べると3割程度で、携帯電話端末やデジタルカメラ、MP3プレーヤーなどのモバイル製品に適している。情報技術（IT）業界で最も関心を集める、スマートフォンやスマートブック、タブレットPCなどのサポートも可能だ。データ転送速度も最大1066Mbpsと、一般の映画5～6本を1秒間でダウンロードできる水準だという。
　ハイニックスはモバイルDRAMの世界シェアを、2007年の7．1%から、ことしは30%以上に拡大するという目標を立てている。同社関係者は「今後も高容量化、低電力化、高速化へと急変するモバイル市場をリードしていく方針」と話した。