サムスン電子、32Gb高速NANDフラッシュ量産

【ソウル1日聯合ニュース】サムスン電子は1日、業界で初めて、30ナノ級32ギガビットの高速MLC（マルチレベルセル）NAND型フラッシュメモリーの量産を先月末に開始したと明らかにした。
　この製品は、DRAMの高速データ転送方式、ダブルデータレート（DDR）インターフェースをNAND型フラッシュに適用したもの。低電力非同期DDRインターフェース技術により、電力消費は増やさず、従来のシングルデータレート（SDR）製品の3倍以上という読み込み速度を実現した。サムスン電子はこの製品を、プレミアム級メモリーカードはもちろん、高性能SSD（ソリッドステートドライブ）製品にも適用していく計画だ。
　また同社は、32ギガビット3ビット/セルMLCNAND型フラッシュも量産に入った。電荷を精密に除去し1つのセルに3ビット単位のデータを記録できるようにしたのが特徴で、1ビットデータを記録するSLC（シングルレベルセル）と比較すると、同じチップ面積でも記憶容量は3倍になる。大容量メモリーカードや携帯電話用メモリーカード市場で、従来のMLCの代替品として展開する戦略だ。
　今回の量産開始で、サムスン電子は32ギガビットNAND型フラッシュメモリーの全製品群を確保したことになる。市場の主導権が強化される見通しだ。同社は今後、20ナノ級次世代製品群でも、高速NAND型フラッシュと3ビット/セルNAND型フラッシュの開発を進める計画だ。