サムスン電子の権五鉉(クォン・オヒョン)半導体事業担当社長は28日、社長団協議会で半導体市場の動向と推進戦略を報告しながら、技術リーダーシップや製品差別化、コスト競争力を強化し、システムLSI(大規模集積回路)などの次世代半導体を成長エンジンとみなす方針を示した。
権社長は、世界半導体市場は昨年から2年連続マイナス成長となったが、ことし下半期以降は回復段階に入ったと診断した。主力製品のDRAM価格が昨年は1ドル(約91円)未満に下落したが、ことし7月には2.5ドルに上昇し、NAND型フラッシュメモリーも年初の2ドルから10月に入り6ドル台に急騰したと説明した。サムスンは半導体市場のマイナス成長期に事業競争力の基盤を強化し、世界DRAM市場のシェアを昨年の29%からことしは36%に引き上げ、NAND型フラッシュメモリー部門では40%水準をキープしていると評価した。
半導体市場の中期見通しについては、ことし以降は半導体市場で年平均11%、メモリー部門は16%の成長が予想されるとしたほか、来年にはパソコンや携帯電話部品の需要増により、メモリー部門でやや供給が不足するものと見込んだ。
権社長は、こうした状況を積極的に活用し、「第2の半導体神話」をつくると意欲を示した。DRAM分野で競合メーカーと1~1.5世代の技術格差を維持し、NAND型フラッシュメモリーでも1~2四半期の格差を保つと表明した。
また、省電力などで他社と差別化した製品、コスト競争力を高めた製品の早期量産を実施し、半導体部門の売上高をことしの166億ドルから2012年には255億ドルに引き上げる計画も明らかにした。
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