ハイニックスのモバイルDRAM、インテル認証獲得

【ソウル9日聯合ニュース】ハイニックス半導体は9日、世界で初めて54ナノ（1ナノは10億分の1メートル）2ギガビット基盤で開発した4ギガビットモバイルDRAMが、インテルのモバイルインターネット端末（MID）用チップセット「Moorestown（ムーアズタウン）」の認証を獲得したと明らかにした。同社のモバイル製品がインテルの認証を獲得したのは、これが初めて。
　4ギガビットモバイルDRAMは、2ギガビット製品のパッケージの大きさを維持しつつ、容量を2倍に拡大したのが特徴。電力消費は2ギガビット製品と大差なく、使用時間が長いモバイルインターネットデバイス、ネットブック、携帯電話、ナビゲーションなど、モバイルアプリケーション製品に最適だ。最高データ伝送速度は400Mbpsで、32個のI/Oポートで1秒間に約1．6ギガバイトのデータを処理する。
　ハイニックスは第3四半期から本格的な量産体制に入る計画だ。
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