売上高はDRAMとNAND型フラッシュメモリーの価格上昇、出荷量増加で、前四半期に比べ28%増加した。営業損益は、54ナノメートルプロセスの比重拡大と歩留まり向上による原価削減、在庫評価損失上の効果などで、赤字幅が前四半期(5150億ウォン)より59%減った。営業損失率も13%と、前四半期(39%)に比べ27ポイント下がった。また、純損失の規模も為替差益などにより前四半期に比べ95%減った。
単体業績では売上高が前四半期比34%増の1兆6040億ウォン、営業損失が66%改善し2210億ウォン、純損失も96%減り510億ウォンと集計された。
会社側は、季節的に需要が多い下半期もコスト削減や技術競争力強化を通じ後発メーカーとの開きを広げたい考えを明らかにした。最近需要が急増しているDDR3 DRAMの割合を年末までに4割以上に拡大し、市場をリードする計画だ。第2四半期に売上高全体の55%を占めたモバイル、グラフィック、コンシューマー、サーバー用DRAMなどの高付加価値製品についても、新規顧客確保と新製品発売を予定している。
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