【ソウル11日聯合ニュース】サムスン電子がことし、メモリー半導体分野で売上高の10%以上を研究開発(R&D)に投資し、持続的にシェアを拡大する戦略を打ち出した。
 同社の権五鉉(クォン・オヒョン)半導体事業担当社長は11日、サムスン証券の主管で開催された企業説明会で「売上高の10%以上をR&Dに投資し、DRAMとNAND型フラッシュメモリー分野で主要競合他社と1~1.5世代の技術格差を維持する」と述べた。DRAMとNAND型フラッシュメモリーの生産比率を柔軟に運営するシステムや市場の需要に合わせたマルチファブ、最高水準の歩留まり、投資能力などを整えることで世界最高の原価競争力を備える戦略も明らかにした。
 また、不確実な市況見通しにもかかわらず64ビットパソコン、Windows7、ソリッドステートドライブ(SSD)など新たな市場の育成にも力を注ぐ方針を示した。
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