サムスン電子、世界初4GbDDR3　DRAM開発

【ソウル29日聯合ニュース】サムスン電子が、50ナノプロセスを適用した4ギガビットDDR3　DRAMを世界で初めて開発した。
　同社は2007年に世界初の60ナノプロセス2ギガビットDDR2　DRAMを開発、本格的な大容量DRAM時代を開いた。さらに昨年9月に50ナノプロセスの2ギガビットDDR3　DRAMを、その後5か月で業界最大容量の4ギガビットDDR3　DRAM製品を作り上げた。これにより、同社は4ギガビット、2ギガビット、1ギガビット、512メガビットのDDR3と、1ギガビット、512メガビットのDDR2など、業界最多の50ナノプロセスDRAM製品を確保した。

　4ギガビットDDR3　DRAMは、サーバー用16ギガバイトRDIMM、ワークステーションやデスクトップパソコン用の8ギガバイトUDIMM、ノートパソコン用8ギガバイトSODIMMなど、大容量モジュールの開発に適用される。パッケージ積層技術（DDP）を適用すれば32ギガバイトモジュールの開発も可能だ。RDIMMは主にサーバーやワークステーション用に使用されるDRAMモジュール、UDIMMはデスクトップパソコン用に使わてきたDRAMモジュール、SODIMMはノートパソコンなど小型パソコンに使用されるメモリーモジュール。

　4ギガビットDDR3　DRAMは50ナノプロセスと省電力設計技術を適用し、1．35Vで最大1．6ギガビット毎秒のデータ処理速度を可能にした。既存のDDR3　DRAM（1．5V動作）に比べ性能が約2割向上した。