サムスン電子、次世代ディスプレーの基礎技術開発

【ソウル15日聯合】サムスン電子総合技術院が、次世代ディスプレーや半導体などに幅広く適用可能な「アモルファス酸化物薄膜トランジスタ」の新技術開発に成功した。同社は米サンフランシスコで15日（現地時間）に開かれる世界3大半導体学会「国際電子デバイス会議（IEDM2008）」で、この技術を発表する。
　この技術は、既存の酸化物薄膜トランジスタの単一チャンネル構造を二重チャンネル構造に変え、従来の3倍以上高い世界最高レベルの電子移動度（～130平方センチメートル/V．sec）を確保。同時にしきい値電圧（薄膜トランジスタを動作させる電圧）をコントロールできるようにした。サムスン電子は、移動度が大きい酸化物と必要なしきい値電圧を備えた酸化物を組み合わせ、二重チャンネル構造を具現したと説明している。

　この技術は、現在使用している液晶ディスプレー素子だけでなく、アクティブマトリックス式有機EL（AMOLED）、フレキシブルディスプレーのような次世代ディスプレー、太陽電池、発光ダイオード（LED）、センサーなどにも適用できる。また、透明なためゴーグルやビルのガラス窓、自動車ガラスなど透明なディスプレーにも使用可能だ。半導体分野にも適用できることから、電子産業全般にわたり波及効果が大きいと期待される。