サムスン電子、DRAM技術流出で影響懸念＝韓国

韓国の国家核心技術を不正に利用し、中国でDRAMを開発した中国半導体会社の開発室長ら3人が、韓国で拘束・起訴された。

　ソウル中央地検情報技術犯罪捜査部は1日、サムスン電子の国家核心技術である18ナノ級DRAM工程を中国に不正に流出した容疑で、中国の半導体メーカー、長鑫存儲技術（CXMT）の開発責任者ら3人を拘束・起訴したと発表した。

　拘束・起訴されたのは、サムスン電子の元役員で、CXMTの2期開発室長だったヤン容疑者。そのほか、元研究員のシン容疑者とクォン容疑者の計3人だ。

　同メーカーは、中国の地方政府が2兆6000億ウォン（約2726億円）を投資して設立した中国初のDRAM半導体メーカー。検察は昨年1月、サムスン電子の元部長でCXMTの1期開発室長を、ことし5月には、元研究員で同社社員も同様の容疑で拘束・起訴している。

　検察の調べによると、CXMTは設立直後、サムスン電子出身者2名をスカウトし、国家核心技術の確保と中核人材の引き抜きをもとにDRAM開発を計画した。CXMTの1期開発室長らは、サムスン電子の退職者を通じて、国家核心技術であるDRAMプロセスの資料を不正に入手していたことが判明。流出したのは、サムスン電子が1兆6000億ウォン（約1677億円）を投じて世界で初めて開発した、10ナノ級DRAMの最新プロセス技術だった。

　今回起訴された3人は、流出した資料を受け取った後、サムスン電子の製品を分解して技術内容を検証し、製造テストを繰り返すことでDRAMを開発したとみられている。CXMTは2023年、中国初であり、世界で4番目となる18ナノ級DRAMの量産に成功した。

　拘束・起訴されたサムスン電子の元役員ら3人は、CXMTからそれぞれ4～6年間にわたり、総額15億～30億ウォン（約1億4千万円～2億8千万円）の給与を約束されていた。これは、サムスン電子で得ていた年俸の3～5倍にあたる金額だ。

　検察は今回の事件について、サムスン電子が被る損害は甚大だと指摘している。昨年の推定売上減少額だけで5兆ウォン（約5244億円）に達するほか、今後も数十兆ウォン（数兆円）規模の被害が見込まれており、「史上最悪の技術流出事件」だと説明した。