ハイニックス半導体、NAND型フラッシュ減産へ

【ソウル1日聯合】ハイニックス半導体がNAND型フラッシュメモリーの減産に踏み切る。同社関係者が1日に明らかにしたもので、清州にあるNAND型フラッシュメモリーを生産するM9ラインの稼働を第3四半期まで中断する。
　M11も当初はNAND型フラッシュ専用ラインとして活用する予定だったが、NAND型フラッシュの生産量を減らし、DRAMの後工程ラインを入れる可能性もあるとしている。NAND型フラッシュの価格は暴落しており、NAND型フラッシュよりも、中国・無錫にあるC2ラインなど300ミリウエハーDRAMの生産ラインに投資を集中する計画だ。

　ハイニックス半導体は、NAND型フラッシュをM9ラインなど200ミリウエハー、57ナノプロセスを通じて生産しており、今年からは清州に建設中の300ミリウエハーを使うM11で48ナノプロセスによるNAND型フラッシュの生産を計画していた。しかしM9ラインの稼働を停止し、既存のラインに比べ優れたM11プロセスでのNAND型フラッシュの生産目標を削減したことから、NAND型フラッシュの生産量は大幅に落ち込むことになる。

　ハイニックスの減産規模は、NAND型フラッシュの世界市場で5%に相当する量とみられ、今後冷え込んでいるNAND型フラッシュ市場が反騰するかに注目が集まりそうだ。