世界最高速ナノトランジスタ、ソウル大教授陣が開発

国内研究陣が、世界最高速の15ナノメートル級ナノトランジスタを開発した。ソウル大学のソ・グァンソク教授チームは11日、テラ級ナノ素子開発事業団の支援を受け、ナノ素子特化ファブセンターとともに、世界最高速の15ナノメートル、610ギガヘルツ級ガリウムヒ素系ナノトランジスタ（mHEMT）を開発したと明らかにした。
　ソ教授チームは、HEMT素子のゲート長を15ナノメートルまで縮小し、トランジスタの動作速度を決める電流利得遮断周波数（fT）を610ギガヘルツまで引き上げ、電界効果トランジスタ（FET）としては最高速度を実現した。これまでナノトランジスタ市場をリードしてきた日本の富士通の製品が保有する世界最高記録（25ナノメートル、562ギガヘルツ）を超えるもので、同分野での技術的優位確保に期待がかかる。

　研究チームはこの技術に関し7件の特許を出願しており、研究結果を11日に米ワシントンで開かれる国際電子デバイス会議（IEDM）で発表する予定だ。


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