ハイニックスが48ナノフラッシュメモリー量産へ

ハイニックス半導体は4日、48ナノ工程を適用した16ギガバイトのマルチレベルセル（MLC）NAND型フラッシュメモリー製品を、来年1月から世界に先駆け量産すると明らかにした。開発はすでに終えており、今月中にサンプルを世界の顧客企業に供給する。

生産は同社12インチウエハー工場の京畿・利川M10ライン、忠清北道・全州に建設中のM11ラインで行う。投入されるウエハー基準で数千枚の生産から始め、来年第1四半期中に月平均1万5000～2万枚規模まで生産量を拡大していく方針だ。

同社関係者は、NAND型フラッシュはハードディスク代替製品として注目を集める補助記憶装置のソリッドステートドライブ（SSD）にも用いられるなど需要が多様化していると話す。今回の16ギガバイトMLC製品に続き、同じ48ナノ工程で8ギガバイトのシングルレベルセル（SLC）製品も生産していく方針だ。

Copyright 2007(C)YONHAPNEWS. All rights reserved.