30ナノ64ギガNAND、サムスンが世界初開発

サムスン電子が世界で初めて30ナノ64ギガビットのNAND型フラッシュメモリーを開発した。これにより同社は今年もいわゆる「黄の法則」を立証したことになる。「黄の法則」とは、半導体の集積度が毎年2倍ずつ増加するというサムスン電子の黄昌圭（ファン・チャンギュ）半導体総轄社長のメモリー新成長論を指すもので、サムスン電子は2002年以来、毎年9月に新製品開発を公開し、これを立証してきた。
　サムスン電子が23日に公示を通じて発表したところによると、今回の新製品に使われた30ナノ技術は、髪の毛の細さの4000分の1程度の超微細技術。また64ギガビット容量は、世界の人口65億人の10倍に相当する640億個のメモリー保存場所がつめの先ほどの大きさに集積され、わずかな誤差もなく作動することを意味する。

　今回の製品開発により、2009年～2011年の3年間で200億ドル規模の市場創出が可能だと期待される。またこの製品16個をまとめ最大128ギガバイトのメモリーカードの製造が可能になるとみられる。この場合、DVDクラスの画質で映画80編（124時間）、40人分のデオキシリボ核酸（DNA）遺伝子情報などが1つのメモリーカードに保存できる。

　サムスン電子は、今回の開発には、「電荷は既存の導体ではなく不導体物質に保存する」という発想の転換により、セル同士の干渉問題を完ぺきに解決したチャージ・トラップ・フラッシュ（CTF）技術を基盤に、サムスンの独創技術であるSaDPT（Self－aligned　Double　Pattering　Technology）技術を結合した成果だと説明した。

　SaDPT技術は、40ナノ級のフォト装備で30ナノ級の製品化を可能にしたもので、半導体工場でパターンとパターンの間に別のパターンを作り、パターンの間隔を縮小することで半導体装備技術の限界を克服した技術だ。この技術は従来の技術であるDPT技術が、露光と触刻過程を繰り返しながら、1次パターンと2次パターンの間で整列がずれる問題にさらされていたのを克服した点で意味があると同社は説明している。

　同社は特に、SaDPT技術を20ナノ級にまで適用を拡大することで、追加投資なくして次世代（30ナノ）だけでなく、次々世代（20ナノ）までの工場転換と製品化の可能性を提示した。

　サムスン電子は1999年に256メガのメモリー半導体開発に続き、2000年に512メガ、2001年に1ギガ、2002年に2ギガ、2003年に4ギガ、2004年に8ギガ、2005年に16ギガ、2006年に32ギガなど、メモリー半導体の容量を毎年2倍ずつ拡大している。同社関係者は「SaDPT技術導入は、今後ギガ級の次のテラ級時代に向け半導体産業全体を一段階跳躍させるのに大きく寄与したといえる」と話している。


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