サムスン電子、60ナノ2ギガDRAMを世界初開発

サムスン電子は12日、60ナノプロセス技術を用いた2ギガビットDDR2　DRAM開発に世界で初めて成功し、インテルの認証を獲得したと明らかにした。年末から量産に入る。

サムスン電子は3月に60ナノプロセス技術の1ギガビットDDR2　DRAMの量産を世界初で開始している。512メガビットDRAMを含め今回2ギガビット製品まで確保したことで、年末にはDDR2　DRAMの全製品を60ナノプロセスでの量産に転換できる唯一の企業となる。

サムスン電子によると、2ギガビットDDR2　DRAMは、2004年に開発した80ナノプロセスの2ギガビットDRAMの最大速度667Mbpsに比べ20%程度性能がアップし800Mbps実現が可能で、生産性も約40%上がるという。メモリー容量も従来の2倍に増やせるソリューションを提供し、メモリー容量拡大が加速化するものと見込んでいる。

サムスン電子は下半期にDRAM市場の主要製品を512メガから1ギガに転換したい考えだ。今回の2ギガDRAMのような技術競争力を基に、高容量、高性能、高付加価値製品を通じ市場をリードする計画だと明らかにした。

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