同社は14日、スイスにあるメモリー技術開発会社イノベイティブ・シリコンとZRAMのライセンス契約を結んだことを明らかにした。DRAMの記憶素子はトランジスタとキャパシタ（コンデンサ）から構成されるのに対し、ZRAMはキャパシタがなくトランジスタだけとなるため、製品サイズだけでなく生産コストも画期的に減らせると期待されている。
ハイニックスは、DRAMメーカーで初めてZRAM開発技術のノウハウを獲得したイノベイティブ・シリコンからZRAMライセンスを得る。両社の研究力を共同投入して製品開発を進め、開発に成功し量産段階に入ればイノベイティブ・シリコンに一定の技術利用料を支払うことになる見通しだ。製品の量産が始まれば、既存のメモリー半導体を長期的に代替するなど、メモリー市場の版図にも大きな変化が予想される。
ハイニックスは特化技術の競争力確保を目指し研究開発分野に重点を置いており、今後も半導体メーカーとの提携や協力関係を拡大しながら、変化する市場に対応していく計画だ。
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