ハイニックス、最高速1ギガモバイルDRAM開発

ハイニックス半導体は12日、世界最高速・最少型の
1ギガビットモバイルDRAMの開発に成功し、来年第1四半期に量産に入ると明らかにした。

　モバイルDRAMは主に携帯電話端末に使われるメモリーで、携帯電話バッテリーの寿命を考慮し、コンピュータに装着されるメインメモリーの使用電力の0．01%程度に設計されているのが特長だ。携帯用電子機器の小型化と大容量化、高速化は最近急速に進んでおり、モバイルDRAM需要も急増している。

　ハイニックスは、「60ナノクラス（66ナノプロセス技術を利用）プロセスでは世界で始めて開発・商用化される製品で、これまでの1ギガビットモバイルDRAM製品の中では最も小さく、データ処理速度は最も早い」と評価した。さまざまな超小型電子機器とメモリー製品に適用できるとしている。

　また、搭載される機器のスペックに合わせデータ処理速度と方式を1つのチップに変更して使える、ハイニックスの「ワンチップ・ソリューション」機能も備えているという。


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