放射光を利用した半導体の表面制御技術を開発

浦項加速器研究所の研究チームが、放射光加速器から出る高輝度の極紫外線と軟エックス線を照射し、半導体基盤の上に吸着された分子をはがし任意の他の分子を移植する表面制御技術を開発した。
　開発したのは同研究所のファン・チャングク博士のチーム。ビームラインの軟エックス線を利用し、半導体表面に作られた塩素ナノ薄膜に、別のビームラインで集束させた極紫外線を当てることで塩素基体をはがし、そこに他の分子を移植するもの。

　半導体素子の製作は紫外線と高分子薄膜を感光剤に利用した光学リトグラフィ技術を使っているが、光の波長と装置の限界で60ナノメートル以下の微細表面を形成するのは困難だった。浦項加速器研究所は今回の研究結果により、感光剤を使用せず放射光を使用した60ナノメートル以下の分子ナノパターンを自由に作れるようになると説明している。

　研究結果は材料科学専門誌の「アドバンスド・マテリアルズ」4月号に掲載される。


Copyright 2007(C)YONHAPNEWS. All rights reserved.