ハイニックス半導体は15日、誤り訂正符号(ECC)回路を搭載した最高速モバイルDRAMを開発したと明らかにした。
 開発されたのは185メガヘルツ512メガバイトのモバイルDRAMで、80ナノ工程技術を利用した携帯用電子製品向け超小型製品。業界最高水準となる最大185メガヘルツで作動し、NANDフラッシュのECC概念をモバイルDRAMに導入することで、消費電力を半分程度に抑えた。32のデータ入出力装置(I/O)を通じ、最大で1秒当たり1.46ギガバイトのデータ処理が可能だ。

 ハイニックスは、下半期にもこの製品の量産を開始する。NANDフラッシュとDRAMを1つのチップに搭載したNANDマルチチップパッケージ(MCP)と、パッケージの上にパッケージを重ねたパッケージオンパッケージ(PoP)にも利用し、製品ラインアップを多様化する計画だ。


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