サムスン電子、60ナノ1ギガDRAM量産へ

サムスン電子は1日、60ナノプロセスを用いた1ギガDDR2 DRAMの量産体制に入ったと明らかにした。サムスン電子は昨年3月に80ナノプロセスの521メガビットDRAMを量産し80ナノDRAM時代の幕を開けたが、1年足らずで世界初の80ナノプロセスより2世代進んだ60ナノプロセスでの量産を実現した。
　60ナノプロセスの生産性は80ナノに比べ40%以上、現在DRAM業界の主力量産工程となっている90ナノに比べると2倍以上高く、コスト競争力を画期的に引き上げることができる。サムスン電子は世界初の60ナノDRAM量産について、今後50ナノ、40ナノ級の製品開発と量産に対しても同社が業界をリードできる技術基盤を作ったという点でも大きな意味があると説明した。60ナノプロセスの代表的な技術はサムスン電子が独自開発したもので、50ナノ以下のプロセスでは必ず必要になる基幹技術だという。

　量産に着手した60ナノDRAMは大容量DRAMとグラフィックDRAM、モバイルDRAMなどで、すべてのDRAMに応用が可能だ。サムスン電子は、60ナノ級DRAMの市場創出規模は2009年までに累計320億ドルに迫るとの見通しを示した。


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