サムスン電子は年内に半導体関連施設に総額5兆4400億ウォンを投資する計画だ。先月は8198億ウォンかけ、京畿道・華城工場のメモリ第15ラインのDRAM生産施設を増設、グレードアップした。9900億ウォンを投じ、第7~14ラインのDRAMとフラッシュメモリ生産施設も拡充や改善を図ることにしている。
また、16ギガビットNAND型フラッシュメモリを第1四半期から量産し、68ナノの微細回路工程を用いたDRAM量産体制にも入るなど、生産性と競争力強化に努める方針だ。
ハイニックス半導体も市場の需要に応えるため、生産能力の拡充とコスト競争力強化に乗り出す。中国・無錫工場で現在2万5000万位程度の300ミリメートルウエハの生産能力を8万枚まで増やすなど、国内外の施設投資に総額4兆4000億ウォンを投入する計画だ。昨年の80ナノに続き、今年上半期には60ナノDRAM量産を開始する。その一方で50ナノ工程の開発も完了させる予定だ。
半導体業界や市場調査機関のアイサプライによると、今年の世界半導体市場の売上高規模は2858億ドルで、前年に比べ10.6%増えると予想される。有線通信分野が前年比18.2%、家電分野が10.3%、データ処理分野で5.8%の売上高成長が見込まれるという。
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