昨年9月に50ナノ工程のDRAM製造技術を開発したサムスン電子は、早ければ3月から60ナノ工程を適用したDRAM量産体制に入る計画だ。ハイニックス半導体も、2月に初めてウエハーを投入し、早ければ5月からは本格的に量産を開始できると見込んでいる。
これにより、今年も両社を含む韓国勢がメモリー半導体市場をリードするものと予想される。日本や米国企業は依然として90ナノ工程を適用しており、韓国企業が昨年から量産している80ナノ工程の量産でも苦戦しているためだ。
NANDフラッシュの場合、サムスン電子はすでに40ナノ工程を開発しており、第1四半期からは50ナノ工程を適用する計画だ。ハイニックス半導体も、年末までに60ナノ級の技術開発を終了し量産体制を構築する考えだ。50ナノ工程開発も年内に完了するとしている。
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