ハイニックス、60ナノ超高速DDR2モジュール開発

ハイニックス半導体は17日、世界初となる60ナノ1ギガバイトDDR2DRAMを使用した800メガヘルツのメモリモジュールを開発したと発表した。既存の80ナノよりもさらに精密な60ナノ工程で製造されており、生産性が50%向上したほか、3次元立体トランジスタと3層金属配線などの先端技術でメモリ能力と速度が上がった。

　同社は10月に60ナノDRAMを開発し米インテルの認証を受けている。今回開発したのはこれを利用した60ナノDDR2モジュールで、インテルの動作検証を行うアドバンスド・バリデーション・ラボのテストに業界で初めて合格した。最終認証結果は来年初めに正式発表される予定だ。ハイニックス関係者は「今回の開発を通じ、最先端の半導体製造と微細回路工程における一歩進んだ技術力を、国内や海外に改めて立証することができた」と話している。

　ハイニックスは、開発した製品を大容量コンピュータ用DRAMやグラフィックDRAMなどに適用し、来年上半期から量産する計画だ。


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