業界が24日に明らかにしたところによると、60ナノと70ナノ工程でNANDフラッシュを生産しているサムスン電子は、第3四半期現在50%程度を占める60ナノ工程の割合を第4四半期には75%に高める計画を立てている。60ナノ工程は70ナノ工程に比べ生産性が25%以上高く、コスト競争力の強化が期待できる。同社はまた、大容量が求められる新製品の需要が増加していることを受け、フラッシュメモリ用チップのマルチレベルセル（MLC）製品の生産を第4四半期に60%まで拡大するとしている。2ビットを格納できるMLC製品は、シングルレベルセル（SLC）製品に比べ、同じ面積で2倍の情報を集積できるため大容量の実現が容易になる。
サムスン電子関係者は「MLCの割合拡大で生産性が大幅アップするのはもちろん、今後NANDフラッシュとマルチメディアカード（MMC）をひとつにした『モバイルNAND』のような新規事業にも拍車をかけることが可能となった」と話している。
一方、ハイニックス半導体も、NANDフラッシュを生産する忠清北道・清州工場のラインを60ナノ工程にシフトする方針を示している。第4四半期には製品全体の5%近くを60ナノ工程で生産できるようになる見通しだ。同社は第1四半期に20%水準だった70ナノ工程の割合を第2四半期から50%に拡大している。
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