SKハイニックス　超高速メモリー開発＝来年に商用化

【ソウル聯合ニュース】韓国の半導体大手、SKハイニックスは26日、シリコン貫通電極（TSV、Through　Silicon　Vias）技術を適用した超高速メモリー（HBM）DRAM製品を開発したと発表した。
　TSV技術は二つ以上のチップを貫通する電極を作り電気信号を伝達するパッケージ方式で、データ処理性能を高めながらサイズを小さくすることができる。
　現在の最高速製品の4倍以上の速さでデータを処理できる上に、電力消費量が40%ほど抑えられる。
　高仕様のグラフィックを具現化するのに使われ、今後、スーパーコンピューターやネットワーク、サーバーに応用される見通し。
　来年上半期にサンプルを発売し、同下半期には本格的な量産に入る。
　同社はTSV技術を活用したHBM製品の商用化を皮切りに、メモリー市場での主導権確保を目指すとしている。