【ソウル12日聯合ニュース】サムスン電子は12日、超高速データ転送を実現するNAND型フラッシュメモリのインターフェース仕様「Toggle DDR 2.0」を適用した、20ナノクラス工程(1ナノは10億分の1メートル)64ギガビットのマルチレベルセル(MLC)NANDフラッシュ製品を、業界で初めて量産すると明らかにした。
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