ハイニックス半導体、世界最大容量DRAMを開発

【ソウル9日聯合ニュース】ハイニックス半導体は9日、シリコン貫通電極（TSV）技術で40ナノクラス2ギガバイトDDR3　DRAMを8段重ねた16ギガバイトDRAMの製造に成功したと明らかにした。単一パッケージで高容量16ギガバイトを実現したのはこれが初めて。