サムスン、40ナノプロセス4Gb　DDR3　DRAM量産

【ソウル24日聯合ニュース】サムスン電子が世界半導体業界で初めて、40ナノメートル級プロセスを用いた4ギガビット（Gb）DDR3　DRAMの量産に入った。昨年7月に40ナノ級2Gb　DDR3　DRAMの量産を開始してから7か月ぶりとなる。