ハイニックス、40ナノ2GbモバイルDRAM開発

【ソウル13日聯合ニュース】ハイニックス半導体は13日、40ナノプロセス技術を採用した2ギガビット（Gb）のモバイルDRAMの開発に、世界で初めて成功したと発表した。低消費電力DRAM規格「LP　DDR2」に準拠する製品で、上半期中に量産を開始する計画だ。