サムスン電子、米国に半導体第2ラインが完成

サムスン電子が14日、米テキサス州のオースチン半導体生産団地で300ミリウエハー第2生産ラインを完工した。1年にわたる工事を経て完成した第2ラインは4万3000坪の敷地に作られ、1997年から稼動している従来の200ミリウエハー生産ラインに続き、同社にとって米国2番目の半導体生産施設となる。第1ラインはDRAMの生産に集中し、第2ラインは50ナノ以下のNANDフラッシュなど次世代メモリーの生産を進める計画だ。第2ラインでの生産は下半期を予定しており、50ナノ16ギガNANDフラッシュの量産を行う。年産能力は2万枚だが、段階的に能力を引き上げていく。