サムスン、51ナノ16GBNANDフラッシュ量産

サムスン電子は29日、51ナノ工程を適用した世界最大容量16ギガバイトのマルチレベルセル（MLC）NAND型フラッシュメモリーの量産を開始したと明らかにした。業界最少回路幅を適用し、55～57ナノが主流となっている他メーカーの50ナノクラス製品の先を行く工程だという。